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中国科学院长春物理所
纸质出版:1980-05-30
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杨宝均. 硒化锌(ZnSe)单晶的汽相化学输运生长及性质[J]. 发光学报, 1980,(3): 5-10
. [J]. Chinese Journal of Luminescence, 1980,(3): 5-10
杨宝均. 硒化锌(ZnSe)单晶的汽相化学输运生长及性质[J]. 发光学报, 1980,(3): 5-10 DOI:
. [J]. Chinese Journal of Luminescence, 1980,(3): 5-10 DOI:
Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体是良好的发光材料.具有禁带宽度大
发光效率高等优点.但它们的熔点高
蒸汽压高
只有在高温高压下才能熔融.一般条件下难以实现熔体生长. 我们以前用汽相化学输运法进行了ZnSe
ZnS及其固熔体的晶体生长.
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