浏览全部资源
扫码关注微信
厦门大学物理系
纸质出版:1980-03-30
移动端阅览
黄美纯. n型Ga<sub>1-x</sub>Al<sub>λ</sub>As中Te施主能级组分关系近似计算[J]. 发光学报, 1980,1(2): 11-16
. [J]. Chinese Journal of Luminescence, 1980,1(2): 11-16
黄美纯. n型Ga<sub>1-x</sub>Al<sub>λ</sub>As中Te施主能级组分关系近似计算[J]. 发光学报, 1980,1(2): 11-16 DOI:
. [J]. Chinese Journal of Luminescence, 1980,1(2): 11-16 DOI:
本文报告了用二能谷近似法计算n型GaAlAs中Te施主能级随Al组分的变化。理论结果与实验数据符合得很好说明
Koster-Slater型相互作用常数势可用于近似地描述GaAlAs系统中的深施主杂质。本文还讨论了不同带边结构和参数对施主电离能组分关系的影响
认为对该电离能变化曲线线形的分析
可作为判定混晶系统带边结构类型的一种参考手段
线形的突变点代表不同对称性带边的交叉。对Te电离能的分析表明
GaAlAs的带边参数随组分变化非常接近线性。
0
浏览量
81
下载量
CSCD
关联资源
相关文章
相关作者
相关机构