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厦门大学物理系
纸质出版:1980-03-30
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黄启圣, 陈金富. Ⅲ—Ⅴ族化合物发光材料中杂质与缺陷的测量方法[J]. 发光学报, 1980,1(2): 34-45
. [J]. Chinese Journal of Luminescence, 1980,1(2): 34-45
黄启圣, 陈金富. Ⅲ—Ⅴ族化合物发光材料中杂质与缺陷的测量方法[J]. 发光学报, 1980,1(2): 34-45 DOI:
. [J]. Chinese Journal of Luminescence, 1980,1(2): 34-45 DOI:
微量的杂质、缺陷或其复合体对半导体的物理性质有明显的影响
它们在禁带中形成浅杂质能级或深能级。本文综述关于浅能级的发光分析方法以及关于深能级杂质态的测量方法。
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